从左到右依次为美光 CEO 桑杰、三星电子会长李在镕以及 SK 集团会长崔泰源。图片由 AI 生成
文丨苏扬
编辑丨徐青阳
内存价格正在经历一轮凶猛的上涨。
美国投行 Jefferies 最新预测，2026 年第三季度内存价格环比要涨 40% 到 50%，第四季度再涨 30% 到 40%。随后，2027 年全年同比上涨 40% 至 45%，且涨势至少延续到 2028 年才会放缓。
供应端，全球三大 DRAM（动态随机存取存储器）制造商三星、SK 海力士和美光的现有产能已经吃紧，当前总产能的一半还被"长期协议"锁死。
元股证券:ygzq.hk扩产也在同期进行。
美光此前已经在美国等市场投资超过 1500 亿美元新建产能。三星电子和 SK 集团日前也共同宣布了一项围绕半导体和人工智能基础设施的十年期投资计划：总规模 2000 万亿韩元，约合 1.3 万亿美元。三家存储原厂合计投资预计超过 1.5 万亿美元。
巧合的是，由于三巨头占据 90% 以上的市场份额，也引来了反垄断诉讼。美国律所 Hagens Berman 指控它们合谋操控价格，人为制造短缺。
01 存储原厂开始"烧钱"
根据当地媒体的报道，三星和 SK 集团的人工智能基础设施项目投资项目分散在半导体、显示、电池和数据中心等多个领域，其中半导体是重头。
南京配资公司三星计划在韩国西南部的光州和全罗南道建设 4 至 5 座前道（晶圆制造）晶圆厂，投入约 300 万亿韩元。龙仁半导体集群再建 6 座晶圆厂，投入 360 万亿韩元，原计划 2048 年完工，目前计划提前到 2034 至 2035 年。忠清南道天安和温阳的先进封装基地投入超过 56 万亿韩元，定位是封装研发与生产中心。
半导体之外，AI 数据中心投资超过 350 万亿韩元，重点选址在忠清南道牙山。
SK 海力士计划在光州建设四、五座前道晶圆厂，并在忠清北道清州扩建 NAND 闪存工厂，相关投资规模约 600 万亿韩元。
在此之前，SK 海力士已经启动了部分扩产项目，但这些项目是否包含在这次公布的新投资计划里，该公司没有说明。
比如，SK 集团会长崔泰源曾在 6 月 11 日表示，位于清州 M15X 晶圆厂计划 2026 年下半年开始运营，初始月产能 4 万片，预计 2027 年增至约 8 万片。
此外，龙仁半导体集群也在加速推进，一期预计 2027 年初完工，分为 6 个洁净室，每个洁净室逐步增加月产能 6 万片，仅第一工厂就可在 2030 年上半年之前增加月产能 36 万片 DRAM。
美光的扩产，全球市场同步推进，美国本土是核心。
第三财季业绩电话会上，CFO 马克 · 墨菲（Mark Murphy）给出的资本支出指引是：第四财季约 100 亿美元，2026 财年全年 270 亿美元。他还预告，2027 财年的季度资本支出将高于 2026 财年第四财季水平，其中一半以上的同比增长来自建设资本支出。
目前，在美国爱达荷州博伊西总部园区，美光正新建两座晶圆厂 ID1 和 ID2，总投资 500 亿美元，是美国有史以来建造的最大洁净室之一。ID1 预计 2027 年中产出首批 DRAM 晶圆，其中包括 HBM 用基础芯片。ID2 预计 2028 年底前投产。
纽约州锡拉丘兹的晶圆厂集群投资 1000 亿美元，是纽约州历史上最大的单笔私人投资，2026 年 1 月已破土动工。
弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂最近启动了 1-alpha DDR4 技术生产，主要服务汽车、工业、医疗、航空航天和国防市场对成熟制程产品的需求。
亚洲方面，日本广岛的新建 DRAM 晶圆厂投资 96 亿美元，已引入 EUV 设备。在中国台湾当地收购的现有晶圆厂预计 2027 年中实现批量产品出货，比预期提前约一个季度。附近同等规模的第二座洁净室已开建，将支持 EUV 设备。
新加坡将成为美光的先进封装卓越中心，重点扩展 HBM 封装产能，预计 2027 年上半年开始贡献收入，当地新建 NAND 晶圆厂的十年投资约 240 亿美元。
梅赫罗特拉特别提到，美光最近跟 ASML 签了一项多年期 EUV 供应协议，为下一代 1-delta 节点及更先进工艺铺路。
三家公司的投资安排有一个共同点：都在扩产，但都是拉长时间、分摊负担，没有一家在赌短期爆发。
桑杰在美光第三财季电话会上解释，全行业都在努力增加供应，但扩产速度受限于以下几个因素：晶圆厂建设周期太长，设备交付越来越慢，熟练工人不够用，能源和水电基础设施也跟不上。
他把这些因素统称为"结构性约束"。在这种约束下，未来两三年，供给端的紧张大概率不会缓解。
02 HBM 成为战略筹码
比起传统 DRAM（动态随机存取存储器），真正让下游厂商睡不着觉的，是 HBM（高带宽存储器）。
这种堆叠式高带宽内存的需求逻辑，跟过去所有内存品类都不一样。
6 月份，黄仁勋在首尔跟 SK 集团会长崔泰源会面时直接表示：SK 海力士到 2030 年将存储晶圆产能翻倍的计划还远远不够。"我们已经从 SK 海力士采购，每年采购额达数十亿美元，而且这个数字还将大幅增长。"
根据分析师 fin 在《AI 半导体终局推演》中的测算逻辑，每张 GPU 的 HBM 容量需求每年增长约 40%，供给端的产能增量为 14%，DRAM 的单元密度增速只有 9%，需求与供给的差距越来越大。
这意味着，DRAM 的供给增速只有 24%，增速差值达到 16%。
更关键的是，传统 DRAM 是标准化产品，逆周期下，需求暴跌，进而价格暴跌，行业面临巨亏。HBM 则绕开了这个陷阱。
fin 认为，HBM 虽然上层堆叠的依旧是 DRAM，但 Base die（基底裸片）有定制属性，客户需要和存储原厂签长约锁产能，同时 AI 需求可预测性更强，价格跌了反而会刺激客户加大配置量，形成托底。另外，由于技术换代快，旧货贬值快，存储原厂倾向于抢 fabless 客户的下一代技术资格认证，而不是在存量市场里打价格战。
根据 fin 的分析，HBM 已经从过去那种"赚一年亏三年"的传统周期，变成了"上行赚得多、下行也亏不到哪里去"的成长性周期。他认为，只要 Transformer 架构里的注意力机制不被颠覆，HBM 的指数级需求就不会停。
03 谁在争抢韩国产能？
6 月份，黄仁勋在韩国与 SK 集团会长崔泰源、SK 海力士 CEO 郭鲁正等举办"晚餐会"。
餐后，黄仁勋向现场媒体确认：英伟达新推出的 Vera CPU 将采用 SK 海力士 DRAM；双方正在为今年下半年和明年"超大规模的合作"做准备。
同一天，英伟达与 SK 海力士官宣一份多年期技术合作协议，涉及 AI 超级计算机延伸到机器人、数字孪生和半导体制造。
黄仁勋不是唯一一个盯上韩国内存产能的人。
今年 3 月，AMD 的 CEO 苏姿丰完成了她 2014 年上任以来的首次韩国之行，第一站就是三星电子在京畿道平泽的园区。
双方签下的谅解备忘录覆盖了多个层面：三星将为 AMD 下一代 AI 加速器 MI455X 供应 HBM4 内存，同时为代号" Venice "的第六代 EPYC 处理器开发定制化的 DRAM 方案。
巨头扎堆飞往首尔，本质上是因为内存正在从一种可按需采购的通用部件，变成一种需要 CEO 亲自出马去争取的战略资源。
04 美光掀桌子，苹果遭反噬
这轮涨价潮里，美光的态度比三星和 SK 海力士都强硬。
在发布创纪录的第三财季业绩后，美光首席商务官苏米特 · 萨达纳接受《华尔街 · 日报》采访时，罕见地翻起了旧账。
他透露，美光在上一次行业低迷期无法投资扩产，部分原因是一些客户"在定价上非常激进"，"以最低价采购"，把供应商的毛利率压成了负数。他说，美光当时就告诉过那几个客户，"这种做法没有建设性"。由于极差的定价和利润率，2023 年许多行业投资被直接叫停。
尽管没有点名，但美光"吐槽"的客户被认为是苹果公司。
苹果长期以来以跟供应商强硬的议价著称，通过长期采购合同锁定低价，把自己的成本压到最低，同时把终端产品的价格往上提。
不过，强硬的供应链姿态，间接诱发的存储荒，也在反噬苹果自身。
苹果 CEO 蒂姆 · 库克最近承认，这轮内存短缺是"百年一遇的洪水"，涨价"不可避免"。话说完没多久，苹果就对 MacBook、iPad、Apple TV 和 Vision Pro 等产品线实施了全面提价。当天，苹果市值蒸发了 2650 亿美元。
据《金融时报》报道，该公司正在悄悄游说华盛顿，希望获得许可向中国存储芯片厂商长鑫采购内存。在苹果看来，长鑫没有深度卷入 AI 用 HBM 的供应争夺，理论上可以提供更便宜的内存。
市场研究机构 Gartner 分析师兰吉特 · 阿特瓦尔（Ranjit Atwal）对此评价道："连苹果也无法幸免，尽管他们拥有所有的专业知识和长期规划，但这已经超出了他们限制影响的能力。"
现在，所有人都在预测，最快 2028 年之后存储短缺就会过去，只不过权力结构一旦翻转，很难再回到原点。在存储这个市场，买方不可能再拿回过去那种"予取予求"的筹码——内存的"大宗商品时代"正在落幕，而终端厂商还没有完全适应这个趋势。
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